拉普拉斯申请晶圆图形化工艺专利无需昂贵、限制较多的 EUV 光源

Writer： admin Time：2024-07-15 Browse：129

　　金融界 2024 年 7 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示，拉普拉斯新能源科技股份有限公司申请一项名为“晶圆图形化工艺“，公开号 CN9.X，申请日期为 2024 年 5 月。

　　专利摘要显示，本申请提出一种晶圆图形化工艺，包括：将中子掩膜板置于晶圆的表面；产生中子流射向中子掩膜板；关闭中子流，移除中子掩膜板；去除第一部分以及与第一部分对应的晶圆；去除第二部分。本申请的晶圆图形化工艺，利用中子流穿过中子掩膜板的间隙对晶圆表面的含硼涂层进行选择性轰击，使被轰击的含硼涂层（第一部分）发生质变，从而能使第一部分以及与第一部分对应的部分晶圆被去除，进而完成图形化。本申请的晶圆图形化工艺无需极紫外光，也就没有 EUV 光刻工艺中由于光线反射过程造成的能量损耗，因而能量利用率更高。本申请的晶圆图形化工艺无需昂贵、限制较多的 EUV 光源，无需超高精度加工的光路系统，因此有利于节约成本，且适用范围更广。

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